예스파워테크닉스, 한국전기연구원과 ‘SiC 트렌치 모스펫’ 기술이전 계약 체결
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예스파워테크닉스, 한국전기연구원과 ‘SiC 트렌치 모스펫’ 기술이전 계약 체결
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예스티(대표이사 장동복)의 자회사인 ㈜예스파워테크닉스가 한국전기연구원과 ‘SiC(Silicon Carbide, 탄화규소) 트렌치 모스펫(MOSFET)’ 기술에 대한 총 20억원의 기술이전 계약을 체결했다고 밝혔다.

㈜예스파워테크닉스가 이전받는 SiC 트렌치 모스펫 기술은 최근 한국전기연구원이 개발한 것으로, 해당기술 개발에 성공한 국가는 일본과 독일에 이어 전 세계에서 3번째이다.

SiC 트렌치 모스펫 기술은 웨이퍼에 좁고 깊은 골(트렌치)을 만들어, 이 골의 벽면을 따라 수직 방향으로 ‘채널’이라는 전류 경로를 배열한 것이다. 수평으로 채널을 배열하는 현재의 소자와는 달리, 채널을 수직으로 세운 만큼 채널이 차지하는 면적을 절약할 수 있어서 전력 소자의 면적을 크게 줄일 수 있다.

㈜예스파워테크닉스 정은식 부사장은 “해당 기술이 SiC반도체에 적용된다면 웨이퍼당 더 많은 칩을 만들 수 있어 소자 가격을 그만큼 낮출 수 있고, 궁극적으로는 전기차의 가격 인하 효과로 이어질 것”이라고 말했다.

이어 “전기차 시장 확대에 따른 SiC 전력반도체의 공급 능력이 수요에 한참 못미치는 것은 이 업계의 공공연한 비밀”이라며 “SiC 트렌치 모스펫 기술이전을 발판삼아 전기차와 가전기기의 핵심부품 공급처로서 시장을 선도해나가겠다”라고 전했다.

한편, ㈜예스파워테크닉스의 모회사이자 최대주주인 예스티 관계자는 이번 기술이전에 대해 “전기차 시장이 확대하면서 전세계적으로 SiC 전력반도체의 공급난이 일어나고 있는 만큼, SiC 기술의 고도화와 양산 능력 확보는 국가 경쟁력 향상으로 이어질 것”이라며 “㈜예스파워테크닉스를 통해서 SiC 전력반도체 사업을 확장시켜 국내외 SiC 전력반도체 시장을 선도해나가겠다”고 밝혔다.

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